近日,HBM(高带宽内存)概念获市场热议。据报道称,全球最大的两家存储器芯片制造商三星和SK海力士正准备将HBM产量提高至2.5倍F6福鹿会,全球第三大DRAM公司美光也将从2024年开始积极瞄准HBM市场。
据市场调研机构TrendForce预计,2023年全球HBM需求量将增近六成,达到2.9亿GB,2024年将再增长30%,2025年HBM整体市场有望达到20亿美元以上。
入选理由:公司2023年8月投资者关系活动记录显示,公司的颗粒状环氧塑封料(GMC)可以用于HBM的封装,相关产品已通过客户验证,现处于送样阶段。
入选理由:公司的Low-α射线球形氧化铝产品属于一种先进的芯片封装材料,主要作为满足高端性能需求的电子封装功能填料,可应用于高算力行业动态、高集成度福鹿会APP、异构芯片等高散热需求的封装场景,下游主要是大数据存储运算、人工智能、自动驾驶等领域。公司年产200吨高端芯片封装用Low-α射线年第四季度进入产线)
入选理由:公司属于HBM芯片封装材料的上游,配套供应HBM封装材料GMC所用球硅和Low α球铝。
集成电路存储、逻辑芯片的制造环节,产品销售给如韩国SK海力士、三星电子等世界知名存储、逻辑芯片生产商。5)
入选理由:公司参股企业苏州芯测全资收购的韩国GSI公司拥有技术难度较高的存储芯片
入选理由:公司通过收购全球领先的晶圆检测设备供应商日本OPTIMA涉足晶圆检测装备领域,覆盖SUMCO、SK siltron、Samsung等海外半导体
入选理由:公司于2023年11月在互动平台表示,公司目前已与合作伙伴一起正在基于先进工艺开展流片验证相关chiplet芯片高性能互联IP技术工作F6福鹿会,和上下游合作厂家积极开展包括HBM技术在内的高端芯片封装合作,前期目标主要用于公司客户定制服务产品中。
入选理由:公司于2023年8月在互动平台表示,HBM是一种基于3D堆叠工艺的dram内存芯片,由多层dram堆叠,每一层dram之间通过bump焊接到一起,bump非常脆弱,需要用underfill填充保护,起到应力平衡的作用。公司芯片级underfill已有型号通过国内部分客户验证,整体上仍处于前期验证导入阶段。